RGW40TS65DGC11
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Rohm Semiconductor RGW40TS65DGC11

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型号

RGW40TS65DGC11

utmel 编号

2078-RGW40TS65DGC11

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT

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RGW40TS65DGC11
RGW40TS65DGC11 Rohm Semiconductor 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT

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RGW40TS65DGC11详情

Rohm Semiconductor RGW40TS65DGC11重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商器件包装

    TO-247N

  • 厂商

    Rohm Semiconductor

  • Package

    Tube

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    40 A

  • Test Conditions

    400V, 20A, 10Ohm, 15V

  • Package Type

    TO-247N

  • Collector Current (DC)

    20(A)

  • Rad Hardened

  • Mounting

    通孔

  • MSL

    MSL 1 - Unlimited

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.5V

  • Maximum Gate Emitter Voltage

    - 30 V, + 30 V

  • Pd - Power Dissipation

    136 W

  • Maximum Operating Temperature

    + 175 C

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    30

  • Continuous Collector Current at 25 C

    40 A

  • Mounting Styles

    通孔

  • Manufacturer

    ROHM 半导体

  • Brand

    ROHM 半导体

  • Continuous Collector Current Ic Max

    20 A

  • RoHS

    Details

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    650 V

  • 系列

    -

  • 操作温度

    -40°C ~ 175°C (TJ)

  • 包装

    Tube

  • 子类别

    IGBTs

  • 技术

    Si

  • 引脚数量

    3 +Tab

  • 配置

    Single

  • 功率耗散

    136W

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    136 W

  • 产品类别

    IGBT晶体管

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    650 V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    1.9V @ 15V, 20A

  • 连续集电极电流

    40A

  • IGBT类型

    沟渠现场停车

  • 闸门收费

    59 nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    80 A

  • Td(开/关)@25°C

    33ns/76ns

  • 开关能量

    330μJ (on), 300μJ (off)

  • 产品类别

    IGBT晶体管

0个相似型号

RGW40TS65DGC11拓展信息

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