ROHM Semiconductor RGW80TS65DGC11

工厂交货时间

17 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

78A

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 40A, 10 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

输入类型

Standard

功率 - 最大

214W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

反向恢复时间

92ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

650V

接通时间

59 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 40A

关断时间-标准值（toff)

228 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

110nC

集极脉冲电流（Icm）

160A

Td（开/关）@25°C

44ns/143ns

开关能量

760μJ (on), 720μJ (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant