ROHM Semiconductor RRS090N03FU7TB1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SOP

Package

Tape & Reel (TR)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

厂商

Rohm Semiconductor

Power Dissipation (Max)

2W (Ta)

Product Status

Obsolete

操作温度

150°C

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

19mOhm @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1450 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-