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'sct3022algc11'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

供应商器件包装

房屋材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

端子表面处理

技术

端子位置

峰值回流焊温度(摄氏度)

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

配置

通道数量

电缆长度

操作模式

功率耗散

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

连续放电电流(ID)

阈值电压

栅极至源极电压(Vgs)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

最大结点温度(Tj)

场效应管特性

高度

达到SVHC

RoHS状态

无铅

SCT3022ALGC11
SCT3022ALGC11
ROHM Semiconductor 数据表

772 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

21 Weeks

通孔

通孔

TO-247-3

1

339W Tc

61 ns

93A Tc

18V

5.6V @ 18.2mA

175°C TJ

Tube

2017

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

3

Tin (Sn)

SINGLE

未说明

未说明

R-PSFM-T3

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

1

增强型MOSFET

339W

25 ns

N-Channel

SWITCHING

28.6m Ω @ 36A, 18V

2208pF @ 500V

133nC @ 18V

+22V, -4V

93A

2.7V

22V

0.0286Ohm

650V

232A

175°C

25.5mm

not_compliant

ROHS3 Compliant

无铅

SCT3022ALGC11
SCT3022ALGC11
LAPIS 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-247-3

TO-247N

Aluminium

Compliant

339W (Tc)

18V

93A (Tc)

Lead free / RoHS Compliant

5.6V @ 18.2mA

175°C (TJ)

Tube

-

1 (Unlimited)

SiCFET (Silicon Carbide)

300 mm

N-Channel

28.6 mOhm @ 36A, 18V

2208pF @ 500V

133nC @ 18V

650V

+22V, -4V

-