SH8K11TB
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ROHM Semiconductor SH8K11TB

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型号

SH8K11TB

utmel 编号

2078-SH8K11TB

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.14ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SH8K11TB ROHM Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.14ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SH8K11TB详情

ROHM Semiconductor SH8K11TB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROHM CO LTD

  • Part Package Code

    SOT

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

  • Drain Current-Max (ID)

    3.5 A

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Number of Elements

    2

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    小概要

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.14 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    14 A

  • DS 击穿电压-最小值

    30 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    2 W

0个相似型号

技术文档: ROHM Semiconductor SH8K11TB.

SH8K11TB拓展信息

EML22T2R
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ROHM Semiconductor

EMF33T2R
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ROHM Semiconductor

TT8M11TCR
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ROHM Semiconductor

2SA1920
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ROHM Semiconductor

2SK2711
2SK2711

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RK4410
RK4410

ROHM Semiconductor

RDX030N60
RDX030N60

ROHM Semiconductor

SP8M21FU6TB
SP8M21FU6TB

ROHM Semiconductor

RES070N03
RES070N03

ROHM Semiconductor

R6025ANZ
R6025ANZ

ROHM Semiconductor

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