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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.197631
500
¥0.145318
1000
¥0.121094
2000
¥0.111095
5000
¥0.10383
10000
¥0.09659
15000
¥0.09341
50000
¥0.091848
ROHM Semiconductor SST2222AHZGT116
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- 对比
SST2222AHZGT116
2078-SST2222AHZGT116
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR (SWI
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SST2222AHZGT116详情
ROHM Semiconductor SST2222AHZGT116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
600mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE
功率 - 最大
200mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA 10V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40V
转换频率
300MHz
频率转换
300MHz
关断时间-最大值(toff)
285ns
接通时间-最大值(ton)
35ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
SST2222AHZGT116拓展信息
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
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