Rohm Semiconductor SST4403HZGT116
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SST4403HZGT116
2078-SST4403HZGT116
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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TRANS PNP 40V 0.6A SST3
--最小包装量--
SST4403HZGT116详情
Rohm Semiconductor SST4403HZGT116重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
SST3
厂商
Rohm Semiconductor
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
600 mA
Base Product Number
SST4403
MSL
MSL 1 - Unlimited
Qualification
AEC-Q101
Transistor Polarity
PNP
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
350 mW
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
100
Collector-Emitter Saturation Voltage
750 mV
Unit Weight
0.001128 oz
Minimum Operating Temperature
-
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
3000
Mounting Styles
SMD/SMT
Gain Bandwidth Product fT
200 MHz
Part # Aliases
SST4403HZG
Manufacturer
ROHM 半导体
Brand
ROHM 半导体
Maximum DC Collector Current
600 mA
DC Current Gain hFE Max
300
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
40 V
系列
Automotive, AEC-Q101
操作温度
150°C (TJ)
包装
切割胶带
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Single
功率耗散
350mW
功率 - 最大
200 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 1V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
750mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
40 V
转换频率
200MHz
集电极基极电压(VCBO)
40 V
连续集电极电流
600mA
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
SST4403HZGT116拓展信息
ROHM Semiconductor
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