Samsung IRF9513

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

2.5 A

Risk Rank

5.26

Turn-off Time-Max (toff)

80 ns

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

Harris Semiconductor

Package Shape

RECTANGULAR

Turn-on Time-Max (ton)

90 ns

Manufacturer Part Number

IRF9513

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

150 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.5 A

漏极-源极导通最大电阻

1.6 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

10 A

DS 击穿电压-最小值

80 V

雪崩能量等级（Eas）

190 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

20 W

环境耗散-最大值

20 W