IRF9610
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Samsung IRF9610

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型号

IRF9610

品牌

Samsung

utmel 编号

2107-IRF9610

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

1.8A, 200V, 3.00 Ohm, P-Channel Power MOSFET in TO-220

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IRF9610
IRF9610 Samsung 1.8A, 200V, 3.00 Ohm, P-Channel Power MOSFET in TO-220

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IRF9610详情

Samsung IRF9610重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IRF9610

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Vishay Siliconix

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY SILICONIX

  • Risk Rank

    5.21

  • Part Package Code

    TO-220AB

  • Drain Current-Max (ID)

    1.8 A

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 漏极-源极导通最大电阻

    3 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    7 A

  • DS 击穿电压-最小值

    200 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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