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技术文档
型号
IRF9610
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-IRF9610
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
1.8A, 200V, 3.00 Ohm, P-Channel Power MOSFET in TO-220
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IRF9610详情
技术参数
Samsung IRF9610重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Vishay Siliconix
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
VISHAY SILICONIX
Risk Rank
5.21
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
1.8 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
漏极-源极导通最大电阻
3 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
7 A
DS 击穿电压-最小值
200 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRF9610拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:IRF9540
封装:--
品牌:Samsung
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