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Samsung IRFZ34

Name: IRFZ34
Brand: Samsung
SKU: 2107-IRFZ34
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

IRFZ34

品牌

Samsung

utmel 编号

2107-IRFZ34

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Trans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB Trans

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IRFZ34详情

技术参数

Samsung IRFZ34重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

30
Operating Temperature-Max

175 °C
Rohs Code

无
Manufacturer Part Number

IRFZ34
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Vishay Siliconix
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

VISHAY SILICONIX
Risk Rank

5.05
Part Package Code

TO-220AB
Drain Current-Max (ID)

30 A
JESD-609代码

e0
无铅代码

无
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

锡铅
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度（摄氏度）

240
Reach合规守则

unknown
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻

0.05 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A
DS 击穿电压-最小值

60 V
雪崩能量等级（Eas）

200 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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