Samsung K3N4C3000D-DC12

表面安装

NO

终端数量

32

Voltage, Rating

150 V

Package Description

DIP, DIP32,.6

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP32,.6

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

120 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

K3N4C3000D-DC12

Number of Words

1048576 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.61

Part Package Code

DIP

容差

1 %

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

温度系数

100 ppm/°C

电阻

379 Ω

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

附加功能

TTL COMPATIBLE I/O

HTS代码

8542.32.00.71

子类别

MASK ROMs

额定功率

500 mW

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDIP-T32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.05 mA

组织结构

1MX8

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.00005 A

记忆密度

8388608 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

MASK ROM

高度

650 µm

宽度

15.24 mm

长度

41.91 mm

达到SVHC

compliant