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技术文档
型号
K4B1G0446F-HCH9
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4B1G0446F-HCH9
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期（工作日）
立即发货
ROHS
ECAD
简介
K4B1G0446F-HCH9 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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K4B1G0446F-HCH9详情
技术参数
Samsung K4B1G0446F-HCH9重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
表面安装
YES
终端数量
78
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
667 MHz
Number of Words
268435456 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.5 V
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
256000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA78,9X13,32
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.255 ns
Rohs Code
有
JESD-609代码
e1
无铅代码
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
端子间距
0.8 mm
JESD-30代码
R-PBGA-B78
资历状况
不合格
电源
电源电流-最大值
0.165 mA
组织结构
256MX4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
记忆密度
1073741824 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
8
交错突发长度
达到SVHC
unknown
K4B1G0446F-HCH9拓展信息
公司资质
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