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技术文档
型号
K4B1G0846E-HCF7
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4B1G0846E-HCF7
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
K4B1G0846E-HCF7 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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K4B1G0846E-HCF7详情
技术参数
Samsung K4B1G0846E-HCF7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
78
Package Description
FBGA, BGA78,9X13,32
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
128000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA78,9X13,32
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.2 ns
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
400 MHz
Number of Words
134217728 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.5 V
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
无铅代码
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
0.8 mm
JESD-30代码
R-PBGA-B78
资历状况
不合格
电源
电源电流-最大值
0.17 mA
组织结构
128MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
记忆密度
1073741824 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
达到SVHC
unknown
K4B1G0846E-HCF7拓展信息
公司资质
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