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技术文档
型号
K4B2G0446D-HYH9
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4B2G0446D-HYH9
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DDR DRAM, 512MX4, 0.255ns, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78
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K4B2G0446D-HYH9详情
技术参数
Samsung K4B2G0446D-HYH9重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
78
Package Description
TFBGA, BGA78,9X13,32
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
512000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA78,9X13,32
Access Time-Max
0.255 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
667 MHz
Number of Words
536870912 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.35 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.4
附加功能
AUTO/SELF REFRESH; ALSO OPERATES AT 1.5V NOMINAL SUPPLY
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
JESD-30代码
R-PBGA-B78
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.45 V
电源
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.283 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.125 mA
组织结构
512MX4
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
4
待机电流-最大值
0.01 A
记忆密度
2147483648 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
8
交错突发长度
访问模式
多库页面突发
自我刷新
宽度
7.5 mm
长度
11 mm
达到SVHC
compliant
K4B2G0446D-HYH9拓展信息
公司资质
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