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技术文档
型号
K4B2G0846D-HCMA
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4B2G0846D-HCMA
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DDR DRAM, 256MX8, 0.195ns, CMOS, PBGA78
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K4B2G0846D-HCMA详情
技术参数
Samsung K4B2G0846D-HCMA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
78
RoHS
Non-Compliant
Package Description
FBGA, BGA78,9X13,32
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Number of Words Code
256000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA78,9X13,32
Access Time-Max
0.195 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
933 MHz
Number of Words
268435456 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.5 V
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
JESD-30代码
R-PBGA-B78
资历状况
不合格
电源
温度等级
OTHER
电源电流-最大值
0.145 mA
组织结构
256MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.012 A
记忆密度
2147483648 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
交错突发长度
达到SVHC
compliant
K4B2G0846D-HCMA拓展信息
公司资质
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