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技术文档
型号
K4B2G1646B-HPH9
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4B2G1646B-HPH9
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
K4B2G1646B-HPH9 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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K4B2G1646B-HPH9详情
技术参数
Samsung K4B2G1646B-HPH9重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
96
Package Description
FBGA, BGA96,9X16,32
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
128000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA96,9X16,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.255 ns
Operating Temperature-Max
95 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
667 MHz
Number of Words
134217728 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.5 V
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
JESD-609代码
e1
无铅代码
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn97.0Ag2.5Cu0.5)
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
0.8 mm
JESD-30代码
R-PBGA-B96
资历状况
不合格
电源
温度等级
INDUSTRIAL
电源电流-最大值
0.3 mA
组织结构
128MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.012 A
记忆密度
2147483648 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
高速缓冲存储器模块
刷新周期
8192
顺序突发长度
8
交错突发长度
达到SVHC
compliant
K4B2G1646B-HPH9拓展信息
公司资质
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