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技术文档
型号
K4D263238E-GC2A
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4D263238E-GC2A
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DDR DRAM, 4MX32, 0.55ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144
起订量
--最小包装量--
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K4D263238E-GC2A详情
技术参数
Samsung K4D263238E-GC2A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
144
RoHS
Non-Compliant
Package Description
LFBGA, BGA144,12X12,32
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
4000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA144,12X12,32
Access Time-Max
0.55 ns
Operating Temperature-Max
65 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
350 MHz
Number of Words
4194304 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
LFBGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.9
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
S-PBGA-B144
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.625 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.375 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.935 mA
组织结构
4MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.095 A
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
2,4,8,FP
交错突发长度
2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
宽度
12 mm
长度
K4D263238E-GC2A拓展信息
公司资质
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