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技术文档
型号
K4D263238E-VC2A
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4D263238E-VC2A
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
K4D263238E-VC2A datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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K4D263238E-VC2A详情
技术参数
Samsung K4D263238E-VC2A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
144
Access Time-Max
0.55 ns
Clock Frequency-Max (fCLK)
350 MHz
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Manufacturer
三星半导体
Manufacturer Part Number
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words
4194304 words
Number of Words Code
4000000
Operating Temperature-Max
65 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
LFBGA
Package Description
LFBGA, BGA144,12X12,32
Package Equivalence Code
BGA144,12X12,32
Package Shape
SQUARE
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Part Life Cycle Code
Obsolete
Part Package Code
BGA
Reflow Temperature-Max (s)
40
Risk Rank
5.81
Rohs Code
有
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
S-PBGA-B144
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.625 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.375 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.935 mA
组织结构
4MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.095 A
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
2,4,8,FP
交错突发长度
2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
长度
12 mm
宽度
K4D263238E-VC2A拓展信息
公司资质
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