Samsung K4D551638F-TC40

表面安装

YES

终端数量

66

RoHS

Compliant

Package Description

TSSOP, TSSOP66,.46

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

16000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSSOP66,.46

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

65 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

K4D551638F-TC40

Clock Frequency-Max (fCLK)

250 MHz

Number of Words

16777216 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.6 V

Package Code

TSSOP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.92

无铅代码

无

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

端子间距

0.635 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G66

资历状况

不合格

电源

2.6 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电流-最大值

0.41 mA

组织结构

16MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

记忆密度

268435456 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

2,4,8

交错突发长度

2,4,8