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技术文档
型号
K4E661612C-TL50
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4E661612C-TL50
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
K4E661612C-TL50 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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K4E661612C-TL50详情
技术参数
Samsung K4E661612C-TL50重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
50
Access Time-Max
50 ns
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Manufacturer
三星半导体
Manufacturer Part Number
Number of Words
4194304 words
Number of Words Code
4000000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Code
TSOP2
Package Description
TSOP2, TSOP50,.46,32
Package Equivalence Code
TSOP50,.46,32
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Part Life Cycle Code
Obsolete
Part Package Code
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Risk Rank
5.27
Rohs Code
无
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G50
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
端口的数量
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.12 mA
组织结构
4MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.0002 A
记忆密度
67108864 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
EDO DRAM
刷新周期
8192
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
自我刷新
长度
20.95 mm
宽度
10.16 mm
K4E661612C-TL50拓展信息
公司资质
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