Samsung K4H510438J-BCCC0

表面安装

YES

端子形状

WIRE

越来越多的功能

通孔安装

终端数量

2

Package Style

Axial

Operating Temperature-Min

-55

Operating Temperature-Max

125

Package Shape

管状包装

Package Diameter

3.6

Package Length

9.5

Manufacturer Series

RC

Package Description

TBGA, BGA60,9X12,40/32

Number of Words Code

64000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA60,9X12,40/32

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.65 ns

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

K4H510438J-BCCC0

Part Package Code

BGA

Risk Rank

5.83

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

三星半导体

Package Code

TBGA

Supply Voltage-Nom (Vsup)

2.5 V

Number of Words

67108864 words

Clock Frequency-Max (fCLK)

200 MHz

容差

5

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

温度系数

867

电阻

18

端子表面处理

TIN

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.28

子类别

DRAMs

包装方式

BULK

技术

CARBON COMPOSITION

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1 mm

结构

Tubular

电阻器类型

固定电阻

引脚数量

60

JESD-30代码

R-PBGA-B60

资历状况

不合格

额定功率损耗(P)

0.5

引线长度

28

工作电压

350

电源电压-最大值(Vsup)

2.7 V

电源

2.5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.3 V

铅直径

0.7

额定温度

70

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.19 mA

组织结构

64MX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.005 A

记忆密度

536870912 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

2,4,8

交错突发长度

2,4,8

访问模式

四库页面突发

自我刷新

YES

宽度

9 mm

长度

12 mm

达到SVHC

compliant