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技术文档
型号
K4H511638D-UCCCT
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4H511638D-UCCCT
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
K4H511638D-UCCCT datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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K4H511638D-UCCCT详情
技术参数
Samsung K4H511638D-UCCCT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
66
Manufacturer
三星半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
TSOP2
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.6 V
Number of Words
33554432 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
200 MHz
Manufacturer Part Number
Rohs Code
有
Operating Temperature-Max
70 °C
Access Time-Max
0.65 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Equivalence Code
TSSOP66,.46
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
32000000
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Package Description
TSOP2, TSSOP66,.46
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.82
Part Package Code
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.7 V
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.5 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.4 mA
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
访问模式
四库页面突发
自我刷新
长度
22.22 mm
宽度
10.16 mm
达到SVHC
compliant
K4H511638D-UCCCT拓展信息
公司资质
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