注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
K4H511638F-LCB3
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4H511638F-LCB3
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 2.5V T/R
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
K4H511638F-LCB3详情
技术参数
Samsung K4H511638F-LCB3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
Resilient Rings
表面安装
YES
终端数量
66
Enclosure
Open Air Over
Manufacturer Part Number
X241
Approvals
CSA, UR
Manufacturer
Marathon Electric
Package Description
TSSOP, TSSOP66,.46
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP66,.46
Access Time-Max
0.7 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Clock Frequency-Max (fCLK)
166 MHz
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.81
JESD-609代码
e3
类型
HVAC/R Motors, NEMA Motors
端子表面处理
Tin (Sn)
组成
轧钢
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
端子间距
0.635 mm
Reach合规守则
compliant
频率
60 Hz
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
不合格
电源
温度等级
COMMERCIAL
极数
6
电源电流-最大值
0.38 mA
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.005 A
转速/转速
1,075 RPM
记忆密度
536870912 bit
轴承类型
Ball
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
总长度
12.5
轴径
0.5
相位
1
K4H511638F-LCB3拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)