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技术文档
型号
K4H560838N-LCB3
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4H560838N-LCB3
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66
起订量
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K4H560838N-LCB3详情
技术参数
Samsung K4H560838N-LCB3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
66
Package Description
TSSOP, TSSOP66,.46
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP66,.46
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.7 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
166 MHz
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
TSSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.42
JESD-609代码
e3
无铅代码
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
0.635 mm
JESD-30代码
R-PDSO-G66
资历状况
不合格
电源
温度等级
COMMERCIAL
电源电流-最大值
0.11 mA
组织结构
32MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.003 A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
2,4,8
交错突发长度
达到SVHC
compliant
K4H560838N-LCB3拓展信息
公司资质
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