Samsung K4J10324QD-HC12

表面安装

YES

终端数量

136

Package Description

FBGA, BGA136,12X17,32

Package Style

GRID ARRAY, FINE PITCH

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

32000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA136,12X17,32

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

0.23 ns

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

K4J10324QD-HC12

Clock Frequency-Max (fCLK)

800 MHz

Number of Words

33554432 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

FBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.82

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

端子间距

0.8 mm

JESD-30代码

R-PBGA-B136

资历状况

不合格

电源

1.8 V

电源电流-最大值

0.78 mA

组织结构

32MX32

输出特性

3-STATE

内存宽度

32

待机电流-最大值

0.085 A

记忆密度

1073741824 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8

达到SVHC

compliant