Samsung K4M561633G-RN75

表面安装

YES

终端数量

54

Access Time-Max

5.4 ns

Clock Frequency-Max (fCLK)

133 MHz

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Manufacturer

三星半导体

Manufacturer Part Number

K4M561633G-RN75

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words

16777216 words

Number of Words Code

16000000

Operating Temperature-Max

85 °C

Operating Temperature-Min

-25 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Code

VFBGA

Package Description

VFBGA, BGA54,9X9,32

Package Equivalence Code

BGA54,9X9,32

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

Part Life Cycle Code

Obsolete

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.88

Rohs Code

无

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

无铅代码

无

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PBGA-B54

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3/3.3 V

温度等级

OTHER

电源电压-最小值(Vsup)

2.7 V

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.12 mA

组织结构

16MX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.001 A

记忆密度

268435456 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

同步剧

刷新周期

8192

顺序突发长度

1,2,4,8,FP

交错突发长度

1,2,4,8

访问模式

四库页面突发

自我刷新

YES

长度

11 mm

宽度

8 mm