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技术文档
型号
K4M563233D-MN1L
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4M563233D-MN1L
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
K4M563233D-MN1L datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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K4M563233D-MN1L详情
技术参数
Samsung K4M563233D-MN1L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
90
Risk Rank
5.89
Part Package Code
BGA
Package Description
LFBGA, BGA90,9X15,32
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
8000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA90,9X15,32
Operating Temperature-Min
-25 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
7 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
105 MHz
Number of Words
8388608 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
LFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
3/3.3 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.29 mA
组织结构
8MX32
座位高度-最大
1.45 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.0012 A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
宽度
11 mm
长度
13 mm
达到SVHC
compliant
K4M563233D-MN1L拓展信息
公司资质
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