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技术文档
型号
K4M563233G-FN75
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4M563233G-FN75
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90
起订量
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K4M563233G-FN75详情
技术参数
Samsung K4M563233G-FN75重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
90
Risk Rank
5.88
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
三星半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
FBGA
Number of Words
8388608 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Manufacturer Part Number
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
85 °C
Access Time-Max
5.4 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Min
-25 °C
Package Equivalence Code
BGA90,9X15,32
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
8000000
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Package Description
FBGA, BGA90,9X15,32
无铅代码
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
端子间距
0.8 mm
JESD-30代码
R-PBGA-B90
资历状况
不合格
电源
3/3.3 V
温度等级
OTHER
电源电流-最大值
0.16 mA
组织结构
8MX32
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.001 A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
达到SVHC
unknown
K4M563233G-FN75拓展信息
公司资质
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