注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
K4R761869A-FCM8
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4R761869A-FCM8
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
K4R761869A-FCM8 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
K4R761869A-FCM8详情
技术参数
Samsung K4R761869A-FCM8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
92
RoHS
Non-Compliant
Package Description
TFBGA, BGA92,10X18,32
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA92,10X18,32
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
40 ns
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
2.5 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.92
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
Plug
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
自动刷新
HTS代码
8542.32.00.32
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B92
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
2.63 V
电源
1.8/2.5,2.5 V
电源电压-最小值(Vsup)
2.37 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
32MX18
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.08 mm
内存宽度
18
记忆密度
603979776 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
RAMBUS DRAM
访问模式
BLOCK ORIENTED PROTOCOL
自我刷新
宽度
13.4 mm
长度
15.1 mm
K4R761869A-FCM8拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)