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技术文档
型号
K4T1G084QF-BCE7
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4T1G084QF-BCE7
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DDR DRAM, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
起订量
--最小包装量--
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K4T1G084QF-BCE7详情
技术参数
Samsung K4T1G084QF-BCE7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
60
Package Description
FBGA, BGA60,9X11,32
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
128000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA60,9X11,32
Access Time-Max
0.4 ns
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
400 MHz
Number of Words
134217728 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.81
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
不合格
电源
电源电流-最大值
0.16 mA
组织结构
128MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
记忆密度
1073741824 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
达到SVHC
unknown
K4T1G084QF-BCE7拓展信息
公司资质
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