K4T51163QB-ZCD5详情
Samsung K4T51163QB-ZCD5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
84
RoHS
Non-Compliant
Package Description
FBGA, BGA84,9X15,32
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA84,9X15,32
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.5 ns
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
K4T51163QB-ZCD5
Clock Frequency-Max (fCLK)
267 MHz
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
无铅代码
有
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B84
资历状况
不合格
电源
1.8 V
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.008 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
K4T51163QB-ZCD5拓展信息








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