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技术文档
型号
K4T51163QB-ZCD5
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4T51163QB-ZCD5
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84
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K4T51163QB-ZCD5详情
技术参数
Samsung K4T51163QB-ZCD5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
84
RoHS
Non-Compliant
Package Description
FBGA, BGA84,9X15,32
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA84,9X15,32
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
0.5 ns
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
267 MHz
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
无铅代码
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B84
资历状况
不合格
电源
组织结构
32MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.008 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
K4T51163QB-ZCD5拓展信息
公司资质
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