Samsung K4T51163QJ-BCF70

表面安装

YES

终端数量

84

Package Description

TFBGA, BGA84,9X15,32

Package Style

GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

Moisture Sensitivity Levels

2

Number of Words Code

32000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA84,9X15,32

Reflow Temperature-Max (s)

40

Access Time-Max

0.4 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

K4T51163QJ-BCF70

Clock Frequency-Max (fCLK)

400 MHz

Number of Words

33554432 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

TFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.71

Part Package Code

BGA

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

连接器类型

Single Row and Tri-Barrier

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.28

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

11mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

84

JESD-30代码

R-PBGA-B84

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

1.9 V

电源

1.8 V

温度等级

OTHER

电源电压-最小值(Vsup)

1.7 V

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

极数

03

电源电流-最大值

0.18 mA

组织结构

32MX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.008 A

记忆密度

536870912 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

额定电压

300V

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8

访问模式

四库页面突发

自我刷新

YES

额定电流（功率）

30A

宽度

7.5 mm

长度

12.5 mm