K4T51163QN-BCF80详情
Samsung K4T51163QN-BCF80重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
端子形状
WRAPAROUND
越来越多的功能
SURFACE MOUNT
介电材料
CERAMIC
终端数量
2
Operating Temperature-Min
-55
Operating Temperature-Max
125
Package Shape
矩形包装
Manufacturer Series
1808
Package Style
SMT
Package Description
VFBGA,
Number of Words Code
32000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Access Time-Max
0.35 ns
Manufacturer Part Number
K4T51163QN-BCF80
Number of Words
33554432 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
VFBGA
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.71
系列
SIZE(MID/HIGH VOLT)
JESD-609代码
e3
温度系数
15%
端子表面处理
镍镀锡
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电容量
180pF
包装方式
TR, PLASTIC, 7 INCH
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
JESD-30代码
R-PBGA-B84
电容式
陶瓷电容器
温度特性代码
X7R
多层
有
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
尺寸代码
1808
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
正容差
20
负公差
20
组织结构
32MX16
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
记忆密度
536870912 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
宽度
2.03
高度
1.25
长度
4.5
达到SVHC
compliant
K4T51163QN-BCF80拓展信息








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