K4T51163QN-BCF80
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Samsung K4T51163QN-BCF80

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型号

K4T51163QN-BCF80

品牌

Samsung

utmel 编号

2107-K4T51163QN-BCF80

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

VFBGA,

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1最小包装量--

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K4T51163QN-BCF80
K4T51163QN-BCF80 Samsung VFBGA,

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K4T51163QN-BCF80详情

Samsung K4T51163QN-BCF80重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 端子形状

    WRAPAROUND

  • 越来越多的功能

    SURFACE MOUNT

  • 介电材料

    CERAMIC

  • 终端数量

    2

  • Operating Temperature-Min

    -55

  • Operating Temperature-Max

    125

  • Package Shape

    矩形包装

  • Manufacturer Series

    1808

  • Package Style

    SMT

  • Package Description

    VFBGA,

  • Number of Words Code

    32000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Access Time-Max

    0.35 ns

  • Manufacturer Part Number

    K4T51163QN-BCF80

  • Number of Words

    33554432 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    VFBGA

  • Manufacturer

    三星半导体

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Risk Rank

    5.71

  • 系列

    SIZE(MID/HIGH VOLT)

  • JESD-609代码

    e3

  • 温度系数

    15%

  • 端子表面处理

    镍镀锡

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • 电容量

    180pF

  • 包装方式

    TR, PLASTIC, 7 INCH

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B84

  • 电容式

    陶瓷电容器

  • 温度特性代码

    X7R

  • 多层

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.9 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 尺寸代码

    1808

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 正容差

    20

  • 负公差

    20

  • 组织结构

    32MX16

  • 座位高度-最大

    1 mm

  • 内存宽度

    16

  • 记忆密度

    536870912 bit

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 访问模式

    四库页面突发

  • 自我刷新

    YES

  • 宽度

    2.03

  • 高度

    1.25

  • 长度

    4.5

  • 达到SVHC

    compliant

0个相似型号

K4T51163QN-BCF80拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS