K4T56083QF-GCD5详情
Samsung K4T56083QF-GCD5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
60
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.92
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
三星半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
TFBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Number of Words
33554432 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
267 MHz
Manufacturer Part Number
K4T56083QF-GCD5
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
95 °C
Access Time-Max
0.5 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Equivalence Code
BGA60,9X11,32
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
32000000
Moisture Sensitivity Levels
3
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Package Description
TFBGA, BGA60,9X11,32
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
60
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
1.8 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.255 mA
组织结构
32MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.008 A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
长度
13 mm
宽度
11 mm
K4T56083QF-GCD5拓展信息








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