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技术文档
型号
K4T56083QF-GCD5
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4T56083QF-GCD5
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
K4T56083QF-GCD5 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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K4T56083QF-GCD5详情
技术参数
Samsung K4T56083QF-GCD5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
60
Part Package Code
BGA
Risk Rank
5.92
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Part Life Cycle Code
Obsolete
Manufacturer
三星半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
TFBGA
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Number of Words
33554432 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
267 MHz
Manufacturer Part Number
Rohs Code
无
Operating Temperature-Max
95 °C
Access Time-Max
0.5 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Equivalence Code
BGA60,9X11,32
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
32000000
Moisture Sensitivity Levels
3
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Package Description
TFBGA, BGA60,9X11,32
JESD-609代码
e0
无铅代码
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.24
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B60
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
电源
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.255 mA
组织结构
32MX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.008 A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
访问模式
四库页面突发
自我刷新
长度
13 mm
宽度
11 mm
K4T56083QF-GCD5拓展信息
公司资质
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