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技术文档
型号
K4W1G1646E-HC19
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K4W1G1646E-HC19
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
K4W1G1646E-HC19 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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K4W1G1646E-HC19详情
技术参数
Samsung K4W1G1646E-HC19重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
96
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Clock Frequency-Max (fCLK)
533 MHz
Number of Words
67108864 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.5 V
Package Code
FBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
Access Time-Max
0.3 ns
Package Equivalence Code
BGA96,9X16,32
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Number of Words Code
64000000
Package Style
GRID ARRAY, FINE PITCH
Package Description
FBGA, BGA96,9X16,32
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PBGA-B96
资历状况
不合格
电源
电源电流-最大值
0.2 mA
组织结构
64MX16
输出特性
3-STATE
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.01 A
记忆密度
1073741824 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
8192
顺序突发长度
4,8
交错突发长度
K4W1G1646E-HC19拓展信息
公司资质
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