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技术文档
型号
K524G2GACB-A050
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K524G2GACB-A050
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
DDR DRAM, 64MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA137, 10.5 X 13 MM, 1.2 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-137
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K524G2GACB-A050详情
技术参数
Samsung K524G2GACB-A050重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
137
Package Description
TFBGA, BGA137,10X15,32
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
64000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA137,10X15,32
Operating Temperature-Min
-25 °C
Access Time-Max
5.5 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Number of Words
67108864 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.82
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e1
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.32
子类别
其他存储器集成电路
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B137
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.025 mA
组织结构
64MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.002 A
记忆密度
1073741824 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
多库页面突发
自我刷新
混合内存类型
FLASH+SDRAM
宽度
10.5 mm
长度
13 mm
达到SVHC
compliant
K524G2GACB-A050拓展信息
公司资质
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