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技术文档
型号
K6F2008U2E-EF700
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K6F2008U2E-EF700
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
VFBGA,
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K6F2008U2E-EF700详情
技术参数
Samsung K6F2008U2E-EF700重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
36
Package Description
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Number of Words Code
256000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
Number of Words
262144 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3 V
Package Code
VFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.84
Part Package Code
BGA
ECCN 代码
3A991.B.2.A
HTS代码
8542.32.00.41
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.75 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
JESD-30代码
R-PBGA-B36
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
256KX8
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
8
记忆密度
2097152 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
标准SRAM
宽度
6 mm
长度
7 mm
K6F2008U2E-EF700拓展信息
公司资质
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