Samsung K6F2016R4E-EF70

表面安装

YES

终端数量

48

Access Time-Max

70 ns

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Manufacturer

三星半导体

Manufacturer Part Number

K6F2016R4E-EF70

Number of Words

131072 words

Number of Words Code

128000

Operating Temperature-Max

85 °C

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Code

VFBGA

Package Description

VFBGA, BGA48,6X8,30

Package Equivalence Code

BGA48,6X8,30

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

Part Life Cycle Code

Obsolete

Part Package Code

BGA

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Risk Rank

5.89

Rohs Code

无

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

48

JESD-30代码

R-PBGA-B48

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

2.2 V

电源

1.8/2 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

1.65 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.012 mA

组织结构

128KX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1 mm

内存宽度

16

记忆密度

2097152 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

1 V

长度

7 mm

宽度

6 mm