Samsung K6F2016U4E-EF55

表面安装

YES

终端数量

48

Package Description

VFBGA, BGA48,6X8,30

Package Style

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA48,6X8,30

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

K6F2016U4E-EF55

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Package Code

VFBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.89

Part Package Code

BGA

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

48

JESD-30代码

R-PBGA-B48

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.3 V

电源

3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.7 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.021 mA

组织结构

128KX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.000002 A

记忆密度

2097152 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

1.5 V

宽度

6 mm

长度

7 mm