Samsung K6F3216U6M-EF70

表面安装

YES

终端数量

55

Package Description

VFBGA, BGA55,8X12,30

Package Style

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

Risk Rank

5.85

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Part Life Cycle Code

Obsolete

Manufacturer

三星半导体

Package Shape

RECTANGULAR

Package Code

VFBGA

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3 V

Number of Words

2097152 words

Manufacturer Part Number

K6F3216U6M-EF70

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

85 °C

Access Time-Max

70 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Equivalence Code

BGA55,8X12,30

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

2000000

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

0.75 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBGA-B55

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.3 V

电源

3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

2.7 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.035 mA

组织结构

2MX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.00002 A

记忆密度

33554432 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

1.5 V

宽度

7.5 mm

长度

12 mm