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技术文档
型号
K6F4016R4G-EF85
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K6F4016R4G-EF85
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
K6F4016R4G-EF85 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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K6F4016R4G-EF85详情
技术参数
Samsung K6F4016R4G-EF85重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
48
材料类型
Fabric
Manufacturer Part Number
WM-B5-SC-PK
Approvals
ASTM
Manufacturer
Brady
Package Description
VFBGA, BGA48,6X8,30
Package Style
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
256000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA48,6X8,30
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
85 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Number of Words
262144 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Code
VFBGA
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.92
应用
Cable & Wire Marking
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
端子间距
0.75 mm
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
1.95 V
电源
1.8/2 V
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
1.65 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.015 mA
组织结构
256KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.000003 A
记忆密度
4194304 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
图例
B5
待机电压-最小值
1 V
背景颜色
White
文字颜色
Black
宽度
6 mm
长度
7 mm
达到SVHC
compliant
K6F4016R4G-EF85拓展信息
公司资质
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