Samsung K6T1008C2E-RF55

表面安装

YES

终端数量

32

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

K6T1008C2E-RF55

Number of Words

131072 words

Operating Temperature-Max

85 °C

Access Time-Max

55 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Equivalence Code

TSSOP32,.8,20

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Number of Words Code

128000

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Package Description

TSOP1-R, TSSOP32,.8,20

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

TSOP1-R

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.57

Part Package Code

TSOP1

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

0.5 mm

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDSO-G32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.05 mA

组织结构

128KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

反向引脚排列

YES

长度

18.4 mm

宽度

8 mm

达到SVHC

unknown