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技术文档
型号
K6T1008V2E-YF10
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K6T1008V2E-YF10
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
K6T1008V2E-YF10 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel
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K6T1008V2E-YF10详情
技术参数
Samsung K6T1008V2E-YF10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
32
Manufacturer Part Number
32294AG00BWG
Manufacturer
Stearns
Mounting
端部安装
Package Description
TSOP1, TSSOP32,.56,20
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSSOP32,.56,20
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
100 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
无
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TSOP1
Package Shape
RECTANGULAR
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.89
Part Package Code
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
引脚数量
JESD-30代码
R-PDSO-G32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
电源
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
8
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
工作电压
230 VAC
知识产权评级
IP54
宽度
8 mm
长度
11.8 mm
达到SVHC
compliant
K6T1008V2E-YF10拓展信息
公司资质
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