Samsung K6T4008C1B-DB70

表面安装

NO

终端数量

32

Package Description

DIP, DIP32,.6

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

512000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP32,.6

Access Time-Max

70 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Manufacturer Part Number

K6T4008C1B-DB70

Number of Words

524288 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

三星半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Samacsys Description

Static RAM,K6T4008C1B-DB70 512kx8bit 4Mb

Ihs Manufacturer

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.78

Part Package Code

DIP

ECCN 代码

3A991.B.2.A

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDIP-T32

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.08 mA

组织结构

512KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

8

记忆密度

4194304 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

2 V

宽度

15.24 mm

长度

41.91 mm

达到SVHC

compliant