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技术文档
型号
K6X1008C2D-DF70
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K6X1008C2D-DF70
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32
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K6X1008C2D-DF70详情
技术参数
Samsung K6X1008C2D-DF70重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
32
Package Description
DIP, DIP32,.6
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
DIP32,.6
Operating Temperature-Min
-40 °C
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Manufacturer Part Number
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.3
Part Package Code
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
R-PDIP-T32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
温度等级
INDUSTRIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.025 mA
组织结构
128KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
5.08 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00001 A
记忆密度
1048576 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
宽度
15.24 mm
长度
41.91 mm
K6X1008C2D-DF70拓展信息
公司资质
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