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技术文档
型号
K6X8008T2B-UF55
品牌
Samsung
utmel 编号
2107-K6X8008T2B-UF55
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Standard SRAM, 1MX8, 55ns, CMOS, PDSO44
起订量
--最小包装量--
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K6X8008T2B-UF55详情
技术参数
Samsung K6X8008T2B-UF55重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
YES
终端数量
44
RoHS
Non-Compliant
Package Description
TSOP, TSOP44,.46,32
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
1000000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
TSOP44,.46,32
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Number of Words
1048576 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TSOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
三星半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Risk Rank
5.82
JESD-609代码
e3
无铅代码
端子表面处理
哑光锡
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G44
资历状况
不合格
电源
温度等级
INDUSTRIAL
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.03 mA
组织结构
1MX8
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.000015 A
记忆密度
8388608 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
1.5 V
K6X8008T2B-UF55拓展信息
公司资质
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