K7B801825M-HC85
K7B801825M-HC85

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Samsung K7B801825M-HC85

  • 收藏
  • 对比

型号

K7B801825M-HC85

品牌

Samsung

utmel 编号

2107-K7B801825M-HC85

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

K7B801825M-HC85 datasheet pdf and Unclassified product details from Samsung stock available at utmel

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
K7B801825M-HC85
K7B801825M-HC85 Samsung

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

K7B801825M-HC85详情

Samsung K7B801825M-HC85重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    119

  • Enclosure

    C

  • Package

    ACS850CIP20

  • Manufacturer Part Number

    ACS850-04-044A-2+J400

  • Manufacturer

    ABB

  • Mounting

    Panel

  • Package Description

    BGA, BGA119,7X17,50

  • Package Style

    网格排列

  • Number of Words Code

    512000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA119,7X17,50

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Access Time-Max

    8.5 ns

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Rohs Code

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    100 MHz

  • Number of Words

    524288 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3.3 V

  • Package Code

    BGA

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • Risk Rank

    5.91

  • Part Package Code

    BGA

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    ALSO REQUIRES 3.3V/2.5V I/O SUPPLY

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    SRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • 引脚数量

    119

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B119

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.465 V

  • 电源

    2.5/3.3,3.3 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3.135 V

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.33 mA

  • 组织结构

    512KX18

  • 输出特性

    3-STATE

  • 内存宽度

    18

  • 待机电流-最大值

    0.03 A

  • 记忆密度

    9437184 bit

  • 最高频率

    500 Hz

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    缓存SRAM

  • 待机电压-最小值

    3.14 V

  • 知识产权评级

    IP20

  • 宽度

    14 mm

  • 长度

    22 mm

  • 达到SVHC

    unknown

0个相似型号

K7B801825M-HC85拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS